一种绝缘基底上直接制备石墨烯的方法

公开号/公开日
CN103265018A / 20130828
申请号/申请日
CN201310190000 / 20130521
发明人
王浪;杨连乔;张建华;陈伟
申请人
上海大学
主分类号
C01B31/04(2006.01)I
IPC分类号
C01B31/04(2006.01)I
摘要
    本发明公开了一种结合金属催化剂,直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法,其属于石墨烯材料制备技术领域。该技术解决了石墨烯薄膜在催化剂的基底转移过程中,往往会损伤,影响其性能等问题。本发明在绝缘基底上由催化剂诱导直接制备大面积石墨烯技术,其包括如下步骤:A.制备绝缘衬底/含碳聚合物/金属催化剂的一种结合体;B.在非氧化气氛中,高温处理上述所得结合体,使含碳聚合物(2)分解得到与绝缘衬底(1)直接接触的石墨烯;C.刻蚀金属催化剂(3),制备了所述石墨烯。该方法使含碳聚合物(2)为碳源和粘附剂,置于金属与绝缘衬底间,使石墨烯直接与绝缘衬底接触,避免了转移损伤,可直接用于器件制备和透明电极等应用。
  
地址
200444 上海市宝山区上大路99号
代理人
陆聪明
代理机构
上海上大专利事务所(普通合伙) 31205
优先权号
主权利要求
一种基底上制备石墨烯的方法,其特征在于在绝缘基底上,金属催化剂通过含碳聚合物层,直接制备石墨烯,其包括如下步骤:A)在绝缘基底上涂覆含碳聚合物层(?2?),然后将金属催化剂层(?3?)通过聚合物层(?2?)粘附在绝缘基底(1)上并紧密接触,烘干后得到绝缘基底/含碳聚合物/金属催化剂结合体;B)?将步骤A)所得绝缘基底/含碳聚合物/金属催化剂的结合体,置于非氧化性气氛中,升温至800?1100度,保温5?100分钟,含碳聚合物在高温下分解并在金属催化剂层(?3?)下形成石墨烯,在非氧化性气氛中降温至室温,得到绝缘基底/石墨烯/金属催化剂结合体;C)?将步骤B)所得结合体置于金属刻蚀液中,刻蚀去除金属催化剂层(3),经过去离子水冲洗,烘干,得到绝缘基底上的石墨烯。
法律状态
在审
专利类型码
Application
国别省市代码
上海;31
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