大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法

公开号/公开日
CN103924188A / 20140716
申请号/申请日
CN201410191859 / 20140507
发明人
王公堂;刘风景
申请人
山东师范大学
主分类号
C23C8/20(2006.01)I
IPC分类号
C23C8/20(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I
摘要
    本发明公开了大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法,预先在SiO<sub>2</sub>基底上沉积镍膜,然后再利用镍膜的渗碳/脱碳机理及非平衡表面偏析过程,在SiO<sub>2</sub>基底上形成石墨烯薄膜。在镍膜的上下两个面都会生长出石墨烯薄膜,然后把镍膜和外层的石墨烯去除掉,在SiO<sub>2</sub>基底上直接得到原位生长的石墨烯薄膜。给出的该生长方法提供了在绝缘介质如SiO<sub>2</sub>基底上,原位沉积高质量石墨烯的新方法。本发明批量在SiO<sub>2</sub>基底上直接制备了双层和少层石墨烯,省去了传统的石墨烯生长和转移的复杂工序和过程。由于该发明的直接在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法具有高效、节能和低成本的特点,这明显有助于未来石墨烯的实际应用。
  
地址
250014 山东省济南市历下区文化东路88号
代理人
张勇
代理机构
济南圣达知识产权代理有限公司 37221
优先权号
主权利要求
大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法,其特征是,预先在绝缘基底上沉积镍膜,然后在大气环境下,然后再利用镍膜的渗碳/脱碳机理及非平衡表面偏析过程,利用双火焰法在绝缘基底上形成石墨烯薄膜;在镍膜的上下两个面都会生长出石墨烯膜,然后把镍膜和镍膜外层的石墨烯去除掉,从而在绝缘基底上直接得到原位生长的石墨烯薄膜。
法律状态
审中
专利类型码
Application
国别省市代码
山东;37
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