[专利]
一种长余辉发光材料及其制备方法
申请号:
2016CN-0850476
申请日:
2016-09-26
公开号:
CN106433635 A 2017-02-22 [CN106433635]
公开日:
2017-02-22
申请人:
CHANGCHUN INSTITUTE APPLIED CHEMISTRY CAS
专利权人:
CHANGCHUN INSTITUTE APPLIED CHEMISTRY CAS
发明人:
LI CHENGYU;SUN WENZHI;PANG RAN;JIANG LIHONG;ZHANG SU
国家:
(CN106433635) 本发明提供了种长余辉发光材料,其化学式如式(I)所示:KLiNaGaAlGeSiO:xBi,yM,zR,式(I);式(I)中,M为Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的种或多种;R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的种或多种;0.0001≤x≤0.20,0≤y≤0.20,0≤z≤0.20,0≤a≤0.20,0≤b≤0.20,0≤c≤0.20,0≤d≤0.20。本发明提供的长余辉发光材料以Bi离子为激活离子,它能够被紫外光有效激发,产生青‑蓝颜色可调长余辉,余辉亮度高、时间长。